半导体行业动态

 

 

摘要：全球半导体行业呈现“AI驱动结构性增长、全产业链涨价传导、供需缺口持续扩大”三大核心特征。WSTS、Yole、IDC等多家机构一致上调行业预期，全球半导体产值有望在2027年突破2万亿美元。存储芯片短缺拐点推迟至2028年，HBM产能争夺白热化；功率半导体、MCU、模拟芯片及被动元件全面开启涨价潮，产业链成本压力正沿供应链逐级传导。与此同时，FPGA交期突破52周、服务器CPU供不应求、MLCC进入超级周期，元器件级短缺正从个别品类向全行业蔓延。

 

 

一、行业总览：结构性增长确立，全球半导体迈入2万亿美元时代

 

多家机构上调行业预期，AI驱动结构性扩容

Yole Group最新报告指出，全球半导体器件产业正迎来历史性跨越——2026年行业总收入预计达1.6万亿美元，最早在2027年有望突破2万亿美元。与以往周期性复苏不同，本轮扩容由AI算力基础设施、HBM、先进封装技术迭代及全球数据中心大规模投资四大要素共振驱动，标志着半导体行业正式迈入结构性增长新阶段。

 

蔡司半导体制造技术事业技术长进一步乐观预期，行业产值预计2026年即可达1万亿美元，较此前预测大幅提前四年，至2030年有望上看2.5万亿美元。

 

 

中国集成电路出口：上半年同比增长96%

海关总署数据显示，2026年上半年中国集成电路出口额达1772.8亿美元，同比增长96.1%，出口量1794.4亿颗，单价从去年同期的0.54美元升至0.99美元，涨幅超83%。增长主因全球存储涨价及AI产业链外溢效应，出口结构正从“量的扩张”转向“价值提升”。需注意出口额中含加工贸易部分，不全部等同于国产芯片附加值。

 

 

 

二、存储器：短缺拐点推迟至2028年，HBM产能争夺白热化

 

市场共识：内存供应短缺拐点推迟至2028年

IDC明确指出，供应紧张已将内存市场转折点推迟至2028年下半年之后，预计2027年Q4 DRAM供应短缺率将扩大至约13%。即便DRAM产能增长近10%，其中超过30%已分配至HBM及SOCAMM等AI产品，且相当部分通过多年长协锁定。以晶圆产出效率为例，HBM3E良率约35%，远低于常规DRAM的约1750颗水平；HBM4良率预计降至25%左右。

 

彭博与产业方就供需拐点形成明显分歧。彭博预警2028年或现产能过剩，但产业方坚持短缺延续至2030年。双方在一点上形成共识：大规模新增产能将于2027至2028年集中落地，届时供需两端同步变化或将推动行业周期迎来反转。

 

价格增速放缓与供应短缺缓解并非同义。消费级产品价格回稳需待2028年产能全面释放后才有望实现。

 

 

DRAM：HBM吸收新增产能，传统DRAM供给持续紧张

Q3 Server DRAM合约价预计季增13%至18%。美光手握千亿级订单积压，HBM产能基本售罄。长约机制约束原厂对头部客户的涨价空间，涨价主力将逐步落在非长约客户及追加采购上。

 

现货市场方面，64GB服务器DRAM现货报价已突破3100美元，较6月底合约价1380美元高出约146%，传统现货溢价通常维持在10%至20%之间。现货价格的陡峭上涨往往预示着长期合约价格即将跟随调整。Citrini Research预测，到2030年全球DRAM缺口约28.7EB、占总需求18%，其中普通DRAM将是最大瓶颈，缺口比例将从目前的18%扩大至25%左右。

 

OPPO与vivo已正式拒绝三星Q3约20%的涨价报价——这是三星2026年以来第三次涨价，累计近300%的成本涨幅已令下游承受能力逼近极限。存储芯片在整机BOM中占比已从10%至15%飙升至20%以上，低端机型高达30%至60%。Omdia预测2026年全球智能手机出货量将下降12%，平均售价预计达565美元（较2025年上涨98美元），创历史纪录。

 

上下游价格博弈进入白热化阶段，OPPO/vivo拒单显示存储涨价已触及下游终端承受底线。

 

 

NAND Flash：紧缺预计2027年下半年缓解

TrendForce预估2026年NAND Flash供应与需求位元差距落在-4%至-5%之间，紧缺局面预计于2027年下半年获得改善。服务器对NAND位元需求占比已逾40%，取代智能手机成为第一大应用市场。

 

 

SLC NAND下半年价格预计暴涨120%至170%。MLC NAND供给极度短缺，迫使部分工控、车用及网通客户转向SLC NAND，同时AI边缘运算与数据中心需求持续攀升，供需缺口急剧扩大。

 

 

三星已将约60% V-NAND产能绑定英伟达CMX需求。英伟达CMX单套系统搭载576块SSD、总存储容量高达9600TB，业界预计CMX对NAND需求将从2026年的3500万TB激增至2027年的1亿TB以上，相当于在NAND市场中凭空新增一个接近苹果量级的大型客户。

 

NAND正从周期性商品转变为算力基础设施的关键一环。英伟达一家即可消耗全球NAND产能的十分之一，消费级NAND供给将持续承压。

 

 

HBM：英伟达一家锁定全球54%供应

2026年全球HBM总需求达322.79亿Gb，英伟达一家占约54%，意味着每生产100颗HBM芯片，54颗将装入英伟达服务器。SK海力士拿下英伟达HBM4供应60%至70%份额，三星占据25%至30%。SK海力士2026年全年产能已全部售罄，2027年产能同样被提前清空。

 

大摩模型显示，HBM市场规模将从2023年的30亿美元跃升至2027年的940亿美元，四年复合增长率达128%。即便假设三大厂HBM良率2027年均达70%，当年HBM生产量5.38万亿Gb仍追不上5.61万亿Gb需求。SK海力士CEO郭鲁正明确表示，2027年将是存储行业有史以来供应最紧张的一年，缺口将延续至2030年以后。

 

英伟达不是在"购买"HBM，而是在划定全球HBM产能的分配方式。AI客户在2025年就已锁定2027年产能，消费电子企业在2026年才意识到自己已被排到后面——这个时间差正是涨价的全部逻辑。

 

HBM产能分配重构是理解整个存储涨价的钥匙。消费电子并非完全失去机会，但短期内堆叠硬件仍是提升AI能力最直接有效的路径。

 

 

三大原厂扩产计划：合计投资逾万亿美元

近期三星、SK海力士及美光相继公布大规模扩产计划，合计投资规模逾万亿美元。三星在忠清地区投资约140万亿韩元，打造涵盖半导体、显示器、电池及AI组件的先进产业集群。SK海力士在清州投资100万亿韩元，其中80万亿用于M17 NAND闪存晶圆厂、20万亿用于先进封装设施。美光在日本广岛投资1.5万亿日元扩建先进DRAM产线，预计2028年夏季前后实现商业出货。

 

受扩产消息影响，SK海力士股价单日重挫14.57%，市值蒸发约1600亿美元。历史经验显示内存厂宣布大扩产往往预示景气上升循环即将触顶，全球内存市场将面临供给压力测试。

 

 

下游抵制：OPPO、vivo联手拒单三星

存储芯片在整机物料清单中的占比已从10%-15%飙升至20%以上，低端机型高达30%-60%。三星电子正就Q3通用DRAM价格与客户展开谈判，目标涨幅20%，但OPPO与vivo已正式拒绝。TrendForce预测Q3合约价涨幅13%-18%，低于三星提出的20%，显示下游抵制情绪正对上游定价形成牵制。Omdia预测，受存储涨价影响，2026年全球智能手机出货量将下降12%，平均售价预计达565美元，创历史纪录。

 

 

 

三、CPU与GPU：AI需求重构计算市场格局

 

服务器CPU：英特尔订单排长队，中国市场部分产品月涨超10%

英特尔Q2营收161.3亿美元，同比增长25.4%，创2011年以来最强季度增速；数据中心与AI业务营收63亿美元，同比猛增59%，营业利润从上年同期6.33亿美元跃升至24.74亿美元。管理层强调连续第七个季度业绩超指引，所有业务部门需求均持续超过不断增长的供应，公司处于"现做现卖"的供不应求状态。

 

英特尔已签署10项服务器CPU长期供应协议，部分锁定价格、部分侧重采购数量。AMD同样积极与中国客户签署长约，通常锁定采购量但不锁定价格。目前中国市场服务器CPU价格持续攀升，部分产品月涨幅超10%，年初以来累计涨超40%。英特尔部分产品交货期长达六个月，AMD部分产品延长至8至10周。美国银行预估全球服务器CPU市场规模将从2026年的430亿美元成长至2030年的1250亿美元。

 

AI代理式应用正重新定义CPU在数据中心中的战略地位。与ChatGPT初期1:8的CPU:GPU配比不同，代理式AI要求CPU管理AI代理并持续供应数据，业内预计该比例将进一步缩小至1:2甚至1:1。Bernstein预计数据中心CPU市场将从2025年的370亿美元增长至2030年的2230亿美元。

 

CPU正重新站上AI牌桌中心。代理式AI的兴起使CPU从配角升级为决定GPU利用效率的关键角色，CPU正从周期性商品转变为AI算力核心组件。

 

 

英伟达Vera正式出货，CPU市场迎来新玩家

英伟达首款全自研服务器CPU Vera已于6月交付OpenAI、Anthropic等客户，预估本会计年度将创造约200亿美元营收。Vera搭载自研Olympus核心，聚焦单核心速度与内存带宽，执行代理式AI任务性能比x86芯片高出50%。搭载Rigel核心的下一代Rosa CPU亦已在规划中。

 

英伟达切入CPU市场反映了AI计算架构的深刻变化。代理式AI系统需大量CPU核心进行任务编排与调度，这些低延迟顺序型任务无法由GPU单独处理。金融市场已开始反映这一趋势——AMD与英特尔今年股价分别大涨128%和149%，远超英伟达8%涨幅。

 

AI基础设施的下一阶段争夺已从"谁拥有更多GPU"扩展至"谁能支撑更多代理并行运算"，CPU正重新站上AI牌桌中心，市场竞争格局面临重塑。

 

 

存储成本持续传导，AMD显卡涨10%、英特尔CPU最高上调数千美元

存储芯片涨价潮正加速向CPU与GPU环节传导。AMD已通知核心AIB合作伙伴，自7月起上调GPU核心与GDDR显存捆绑套料出货价，涨幅约10%，为半年内第二次因存储成本调价。GDDR6现货价格已从每GB约2.5美元飙升至7.5美元，涨幅达3倍。

 

英特尔方面，Core Ultra 200系列Plus桌面处理器涨幅30-50美元；数据中心Xeon 6系列单颗涨幅达数百至上千美元，Xeon 6980P从12460美元涨至13955美元，单颗上涨1495美元。消费级CPU自3月以来涨5%-10%，服务器CPU涨10%-20%，交期从1-2周延长至8-12周。

 

 

 

四、模拟与嵌入式芯片：交期全面拉长，涨价潮启幕

 

芯片交期全面拉长，FPGA交期突破52周

芯片交期延长正从个别厂商扩散至全行业。亚德诺部分产品交期已延长至6个月；意法半导体MCU交期拉长至52周，代理商已提前确认2027年全年订单需求。德州仪器7月1日第三次上调电源管理IC与MOSFET报价，英飞凌、恩智浦等欧系厂商陆续跟进。

 

FPGA交期问题最为严峻，全系列标准品已普遍拉长至40周以上，工业级、车规级及高可靠型号达52周，高端AI系列部分稀缺型号等待时间超过一年。高端FPGA国产化率尚不足5%，52周交期意味着海外FPGA已难以满足国内工控、安防、通信设备需求，国产FPGA当前承接的已非替代订单，而是"救命订单"。

 

7月1日，近20家涵盖模拟芯片、存储芯片、连接器及被动元件领域的头部企业同步启动新价格体系，涨幅普遍落在10%至30%区间，为年内规模最大的一轮芯片涨价潮。AI服务器及数据中心专用电源管理芯片、高压信号链模拟芯片涨幅达15%至25%；工业自动化与储能领域隔离芯片涨幅10%至15%；低端消费品类调价相对温和。

 

交期延长与涨价已形成全行业系统性趋势，FPGA交期突破52周标志元器件供应链进入全面紧张状态，国产替代正从战略选择变为刚性需求。

 

 

原厂动态：涨价函密集发布，Microchip、华润微等集体调涨

三季度多家半导体大厂相继发布新一轮涨价通知，涨幅普遍在10%至30%之间。Microchip宣布自8月14日起对部分产品调价，覆盖MCU及模拟芯片全品类；芯联集成三季度产品价格上调15%至25%；国内晶振龙头泰晶科技对全系列晶振产品上调10%至30%（65%黑钨精矿价格自2026年以来已上涨125%）；华润微电子自7月1日起对全品类涨价15%起；金誉半导体对二三极管、MOS管及IC产品上调10%至30%。

 

此轮涨价由原材料成本飙升、晶圆产能紧张及AI/新能源需求激增三重因素共同驱动。功率器件、晶振、MCU等品类均受波及，短期内元器件价格上行趋势难见缓解。

 

日本功率半导体三巨头——三菱电机、东芝与罗姆正加速推进业务整合，目标9月前敲定合资公司设立方案。据Omdia数据测算，合并后将占全球功率半导体市场11.3%份额，仅次于英飞凌（24.4%），位居全球第二。

 

涨价已从个别厂商行为演变为全行业系统动作，MCU大厂Microchip的涨价具有市场示范效应，或将引发同行业跟进。

 

 

功率半导体结构性分化：低端过剩高端缺货

功率半导体呈现低端产能过剩与高端有效产能不足的结构性分化。AI数据中心与电网基础设施正接棒新能源汽车成为新的增长引擎。

 

AI集群扩张对供电效率与功率密度要求急剧提升，单台AI服务器对高压MOSFET需求大幅提升，部分厂商已出现价格调整，AI电源组件交期长达40周。英飞凌AI相关营收预计2026财年达15亿欧元，2027财年达25亿欧元（2025财年仅7亿欧元）。全球龙头重金押注结构性增长，英飞凌德累斯顿50亿欧元工厂已投产，意法半导体意大利Catania 200mm SiC基地总投资约50亿欧元，安森美捷克计划最高投资20亿美元。

 

国内方面，芯联集成拟在绍兴投资约200亿元建设12英寸数模混合芯片产线；士兰微8英寸SiC项目总投资120亿元，一期已于2026年1月通线。

 

功率半导体下半场名为扩产，实为电气化浪潮下核心基础设施的卡位战。行业不缺产线，缺的是被客户验证、能进入主驱和AI电源系统、能长期稳定交付的有效产能。

 

 

 

五、被动元件：MLCC超级周期降临，AI服务器需求重构产业格局

 

MLCC：史上最大缺货潮，高端型号涨幅最高达10倍

MLCC正经历"史上最长缺货潮"。村田1206-476（47μF）5月约300元/2000颗，7月初已涨至700-755元；部分稀缺型号年初至今涨3至5倍，个别料号涨幅超10倍。中低端MLCC同步跟涨，0402、0603等常规型号累计涨幅达200%-300%。

 

村田、三星电机、太阳诱电三大龙头6月BB Ratio分别达1.30、1.31、1.25，村田订单积压比已突破2018年缺货高峰。日韩大厂优先将产能转向AI设备所需的高端规格（X6S/X7R），消费级中高容MLCC产能受到明显挤压，主流料号库存水位普遍低于30天。目前高端MLCC交期从历史平均8周拉长至20周以上，部分稀缺机种达26至40周。

 

三星电机8月1日起全面调涨MLCC价格30%，太阳诱电9月1日起再次调涨并罕见强调即使调价后仍无法保证交期。三星电机今年AI服务器MLCC长约累计达7500亿韩元（约5.1亿美元），若计入5月签署的1.5万亿韩元硅电容长协，总额已超2.25万亿韩元（约15亿美元）。

 

AI服务器单机MLCC用量达传统服务器10倍以上，单个GPU安装超2万颗，一个机架可达60万颗。MLCC替代铝电解与钽电容趋势加速，47μF规格每板用量从1440颗增至10544颗，增幅632%。

 

高盛认为AI驱动的先进MLCC需求周期可能持续至2030年，远超市场此前预期，或成为MLCC行业规模最大、持续时间最长的繁荣周期。

 

 

钽电容、铝电容、电感：全面跟涨，结构性受益

被动元件涨价潮呈现结构性分化。MLCC与钽质电容为AI需求下的核心受益品类，国巨旗下KEMET拥有近半全球钽质电容市占率，产品难以替代且定价权强势。

 

铝电容行业迎来集体涨价，日本佳美工、尼吉康、Rubycon及国内江海股份已全面加入提价阵营，Rubycon更预警后续不排除再度调涨。铝、铜、锡等基础金属价格持续高位运行，叠加AI服务器需求升温，铝电容正经历成本推升与需求结构升级的双重驱动。

 

国巨7月1日起调涨电容器全系列产品线价格，涵盖MLCC、铝电解电容、钽质电容、薄膜电容及超级电容等，范围之广为近年来罕见。摩根士丹利报告预计国巨下半年产品平均报价有望上调30%以上。

 

被动元件价格体系的调整正成为新常态。MLCC与钽质电容为核心受益品类，电阻、电感更多受成本驱动，利润改善空间有限。行业龙头营收及获利表现值得持续关注。

 

 

日韩大厂集体扩产，国产替代加速

京瓷计划投资1000亿日元用于AI服务器MLCC扩产；村田追加800亿日元专门用于AI应用高均价产品扩产；太阳诱电拟将中期扩产速度从每年10%上修至15%；三星电机锁定硅电容器赛道，近期获得1.5万亿韩元供货合同。国内厂商积极承接日韩产能转移红利：风华高科月产能650亿只，高端产品营收占比35%-40%；三环集团月产能900亿只，70%为高容AI及车规型号；微容科技冲刺创业板，车载MLCC收入复合增速264.7%。

 

 

 

原厂快讯

 

 

 

 

 

现货行情

 

 

eMMC / NAND Flash / NOR Flash

 

7月eMMC及NAND Flash市场呈现“上半月平稳偏强、下半月需求转淡”的走势，小容量NOR Flash完成筑底反弹后进入横盘。

 

月初eMMC整体货源充足，价格横盘，Sandisk货源相对偏少。受原厂官价上调及出货缩减影响，台系品牌价格逐步跟涨，Winbond NAND Flash成交火热，MIXC代理报盘稀少，旺宏到货极少、多数订单排至明年。小容量NOR Flash低价倒挂货源基本消化完毕，Micron报价混乱，Winbond完成一轮调涨，GigaDevice因原厂控货及晶圆缺货价格亦有所上调。

 

进入下半月，eMMC需求明显走弱，各品牌价格平稳中略有松动，市场缺乏大单扫货动能。至月底，eMMC需求疲软，NAND Flash整体价格趋稳。小容量NOR Flash方面，Winbond涨价后进入横盘，Micron报价维持高位但成交困难，旺宏代理到货稀少、市场货源稀缺，GigaDevice供给持续受限。

 

行业动态方面，SK海力士拟在韩国清州新建NAND闪存晶圆厂，若落地将是自2018年以来在NAND领域的首次重大产能扩张，进一步巩固其全球第二大NAND供应商地位。NOR Flash价格稳中有升，个别料号缺货；小容量MLC型eMMC需求旺盛，8GB价格只增不减，32GB/64GB eMMC（SLC NAND）性价比凸显。

 

市场趋势：eMMC短期维持横盘偏弱格局；NOR Flash供给端约束持续，但高价抑制成交意愿，预计8月以稳为主。

 

 

 

DRAM

 

DDR3 & DDR4：月初成交火热，月底全面横盘

7月DDR3/DDR4市场呈现“月初活跃、中旬分化、月底横盘”的三段式走势，前期价格冲高后逐步回归平稳。

 

月初DDR3需求回落、价格横盘；DDR4 4G受华邦大单扫货拉动，价格快速攀升并反超三星，带动三星价格跟涨，市场成交不断；DDR4 16G×8颗粒成交活跃，SK Hynix价格居各品牌之首，稳步上行；DDR5 16G成交持续活跃，价格维持高位。

 

中旬DDR3成交回暖、价格小幅上涨；DDR4 4G成交持续火热，三星追涨华邦，价格不断攀升；DDR4 16G×8及SK Hynix 16G成交放量，价格稳步上行；DDR5 16G交易量维持高位；小容量SDRAM/DDR价格快速拉升，工控货源偏少。

 

下旬至月底，DDR3成交趋于平淡，三星价格横盘，美光虽有询价但拉涨难度较大。DDR4 4G/8G价格趋稳，市场无大单扫货，16G虽有少量询价但难以带动上涨，工业级价格维持高位。DDR5 16G成交虽多但价格趋稳，未现大幅拉涨。

 

行业动态方面，三星正主导新一轮DRAM涨价周期，Q3通用DRAM目标涨幅最高达20%，LPDDR涨幅亦超20%，态度较为强势。威刚董事长指出，AI应用带动存储器需求持续增强，预计明年原厂对通用型DRAM及消费型NAND产能将进一步收紧。美光预计DRAM和NAND供需紧张将延续至2027年之后，供应改善需等到2028年。

 

市场趋势：DDR市场已完成一轮冲高，当前除工业级外各容量均进入横盘整理。若8月终端需求未能集中释放，价格存在进一步松动可能。小容量SDRAM/DDR供给偏紧格局短期难改。

 

 

 

LPDDR：横盘蓄势，需求待释放

7月LPDDR市场整体处于横盘状态，成交平淡，市场等待终端需求释放。

 

月初原厂有少量货源释出，低价货源消耗后价格预期回升，SK Hynix系列成交活跃，美光虽官价上涨但现货成交稀少。中旬LPDDR5/5X询价增多、价格稳中有涨；LPDDR4/4X因原厂停产及出货减少，市场存货有限，低价货源消化后价格拉升较快；SK Hynix系列持续活跃。下旬至月底，LPDDR整体价格变动不大，服务器及手机端需求尚未释放，囤货商谨慎观望，成交清淡。

 

三星计划将LPDDR价格上调20%以上，显示其在价格策略上的强势立场，但客户最终接受程度仍存在不确定性。

 

市场趋势：LPDDR市场处于“蓄势”阶段，Q3终端需求若集中释放，价格大概率迎来新一轮上涨，尤其LPDDR4/4X供给收缩逻辑明确，上行弹性较大。

 

 

 

服务器内存（DIMM）：DDR5 64G降温，整体趋于平稳

7月服务器DIMM市场热度较6月明显降温，前期热点DDR5 64G价格回落并进入横盘。

 

月初DDR5 64G仍为关注焦点，但成交较前期减少。中旬起DDR5 64G货源增多，价格回落，32G/96G/128G价格平稳，成交热度不及6月。月底横盘格局延续，整体需求平淡。

 

头部云厂商服务器需求增量，DDR5 RDIMM需求正稳步攀升，但现货端尚未出现明显拉涨。

 

市场趋势：服务器DIMM经历前期拉涨后进入消化期，DDR5 64G价格回调后趋于稳定，预计8月维持横盘格局。

 

 

 

 

存储

 

SSD：需求平稳偏弱，企业级缺货与消费级疲软并存

7月SSD市场整体平稳偏弱，企业级大容量型号缺货与消费级需求疲软并存，成交清淡。

 

三星SSD月初需求正常，PM893 7.68T有成交，PM9A3 1.92T受关注，官价预计上调20%但尚未正式发布。中旬需求一般，海外客户询盘集中于PM9D3a 7.68T、PM893系列及大容量PM9A3 15.36T。下旬至月底，询盘进一步减少，整体成交清淡。

 

Solidigm方面，月初官价大幅上调，SATA系列涨50%，其余涨20%-30%。中旬需求偏弱，热点集中于P5520 15.36T及S4520 SATA 7.68T。下旬询盘集中于S4520/S4620 SATA系列。

 

受原厂产能向服务器倾斜影响，NAND资源与企业级颗粒、SSD供给冲突加剧，结构性短缺持续发酵。预计Q3原厂NAND及DRAM价格增长将带动现货端SSD跟涨。

 

市场趋势：SSD市场处于“急涨后消化”阶段，企业级大容量缺货与消费级需求疲软并存，后续需关注Q3终端采购节奏。

 

 

 

HDD：大容量需求走强，小容量平稳运行

7月HDD市场整体平稳，企业级大容量需求持续走强，小容量价格稳定中略有波动。

 

月初需求较淡，渠道以小单补货为主，7月官价调整30%左右，涨幅按需求落地节奏逐步释放。中旬HDD延续平稳观望，16T及以下小容量价格稳定中略有下调，20T/24T大容量报价坚挺但高价停留在盘面。下旬至月底，大容量20T/24T需求增加，24T成交价格区间较大，小容量4T价格有所上调，8T平稳。

 

三大原厂7月继续涨价：希捷企业级涨20%-35%，WD涨25%-32%，东芝涨22%-30%。但终端需求未释放，市场价格有所回落，Q2整体需求偏弱，成交量环比明显下滑，7月仍未见显著放量。三大原厂2026年整体产能被AI需求锁定，为企业级价格提供支撑，但消费端疲软及OEM客户对二次涨价抵触明显，市场呈现高位横盘、大涨乏力格局。

 

市场趋势：大容量企业级HDD需求持续走强，原厂涨价逐步向市场传导，但OEM客户对高价仍有抵触。预计8月大容量稳步上行，小容量维持平稳。

 

 

 

 

CPU

 

PC CPU：结构分化，小核成交活跃

7月PC CPU市场结构性分化明显，低端小核及特定型号成交活跃，台式机需求有所回暖但成交意向偏弱。

 

月初Intel笔电平台需求持续走弱，X系列嵌入式交期延长至45周以上。中旬台式机12/14代（12500、14500等）大批量需求增加，13-14代HX供给收紧，小核CPU（N95/N97/N100/N150）客户采购谨慎。下旬至月底，N100与N305成交活跃，台式机14代（14700、14700K、14700KF）需求增加但成交意向不强，N95/N97/1135G7等市场成交量较大。

 

市场趋势：小核CPU及特定型号仍有成交支撑，但整体需求偏弱，预计8月维持结构性分化格局。

 

 

 

服务器CPU：持续走弱，6系拆机冲击价格

7月服务器CPU市场整体偏弱，价格持续下行，Intel与AMD走势分化明显。

 

英特尔方面，月初4/5/6代供应相对充足，预告7月涨价。中旬至下旬，受装机需求疲软及配件涨价影响，4-6代价格持续走低，5代因库存积压价格竞争加剧。月底至强6系列拆机型号到货增多、价格明显回落，预计仍有下行空间。

 

AMD方面，月初因性价比高需求回升。中旬Q3调价后多数型号上涨，但个别型号因拆机货源冲击价格混乱，整体呈稳中向下趋势。月底5代价格平稳，4代因需求疲软持续下跌，但原厂提货价存在上涨预期，上下游价格倒挂压缩销售端利润。

 

市场趋势：服务器CPU短期降价趋势难改，需关注Q3需求能否回暖。6系列拆机货持续涌入，价格仍有下行空间。

 

 

 

 

网卡与陈列卡

 

网卡与阵列卡：需求清淡，成交零星

7月博通阵列卡及网卡市场整体需求清淡，成交零星，价格平稳。

 

月初9460-8i及9600-24i有少量成交，MCX75310AAS-NEAT（400G CX7）网卡有少量成交。中旬海外客户关注9560-8i，其他型号动静不大。下旬至月底，阵列卡需求进一步转淡。

 

市场趋势：网卡/阵列卡市场缺乏驱动因素，预计8月维持清淡格局。

 

 

 

 

GPU

 

GPU：高端紧缺持续，价格稳中偏强

7月GPU市场整体需求较少，但高端型号紧缺态势持续，价格稳中偏强。

 

RTX Pro 6000系列价格走势分化——工作站系列持续上涨，服务器系列因缺货亦呈上涨趋势，中旬曾出现小幅回落，但下旬再度走强。RTX Pro 6000等高端专业显卡依托AI大模型训练、影视特效渲染等行业刚性需求，现货货源紧缺，涨幅超50%，全新订单交期长达12-18个月。中低端RTX Pro 4000/5000渠道备货充足，供货稳定，价格仅小幅上调8%-12%。

 

市场趋势：GPU高端型号紧缺态势短期难以缓解，价格仍有上行空间；中低端维持平稳。