市场洞察与行情

 

晶圆代工龙头提价 行业或迎“芯片通胀”

全球晶圆代工市场近期启动全面价格调整。台积电计划自2026年起连续四年调升其3纳米及以下先进制程报价，其中2026年首年涨幅预计在3%至10%区间。其2025年资本支出预计将达400亿至420亿美元，2026年更可能升至420亿至450亿美元的历史新高。

 

与此同时，中芯国际已对部分产能实施约10%的涨价。其背后是高企的产能利用率支撑：中芯国际第三季度产能利用率攀升至95.8%，环比上升3.3个百分点；华虹公司同期总体产能利用率更高达109.5%，其第一座12英寸厂设计产能为9.5万片/月，实际投片持续高于10万片/月。

 

此轮由AI需求驱动、从先进制程蔓延至成熟制程的涨价潮，正重塑行业格局。业内分析指出，半导体制造呈现“卖方市场”特征，龙头议价能力增强。这或将进一步压制个人电脑、智能手机等传统消费电子的需求，而AI相关需求预计持续强劲。据Semiconductor Intelligence估计，2025年全球半导体制造资本支出约1600亿美元，同比增长3%。

 

 

ADI启动2026年调价最高达30% 模拟芯片市场步入上行周期

亚德诺半导体（ADI）近日正式通知客户，计划自2026年2月1日起对全线产品实施新一轮调价，整体平均涨幅约为15%。其中，近千款军用高可靠性产品价格涨幅预计高达30%。此次调价主要源于原材料、人力、能源及物流等环节的持续通胀压力，新价格将适用于所有未发货订单。

 

继德州仪器（TI）于今年第三季度率先调价（覆盖超6万个型号，涨幅10%-30%以上）后，ADI此次行动再次印证模拟芯片行业进入新一轮上行周期。2025年第三季度，全球半导体市场营收已创下2163亿美元历史新高，环比增长14.5%。ADI自身2025财年第四季度业绩也显示复苏，营收同比大幅增长26%至30.76亿美元，每股收益同比增长35%至2.26美元，均超出市场预期。公司CEO指出，工业各领域均呈现成长态势，主要受益于周期性改善及人工智能、自动化等结构性趋势推动。

 

本次涨价预计将传导至下游汽车电子、工业控制、高端消费电子、通信基建及数据中心等多个高价值领域。其中，AI数据中心已成为重要需求引擎，单柜AI服务器所需电源管理芯片总价值高达12,000至15,000美元。涨价可能推高新能源汽车BOM成本，并增加工业控制与医疗设备的降本难度。目前，部分下游企业已启动紧急备货或协商长期供货协议，国产替代进程也在加速推进。

 

 

 

全球存储巨头加速扩产 2026年DRAM市场规模有望突破1700亿美元

为应对人工智能驱动的旺盛需求与持续的市场短缺，全球主要存储芯片制造商正加速产能扩张。行业研究机构Omdia预测，全球DRAM市场规模将在2026年达到1700亿美元，显著高于2024年的1000亿美元。三星电子已着手提升DRAM和NAND产线的利用率，并扩大HBM产量。同时，三星已恢复平泽第五工厂的施工，预计该厂将于2028年开始量产。

SK海力士也积极推进产能建设。其位于清州的新M15X工厂准备投产，将专注于DRAM及AI相关存储芯片。公司正力争在原计划的2027年前，完成龙仁半导体园区内规模相当于六座M15X晶圆厂的首座晶圆厂建设。

在自建产能周期较长的背景下，部分国际大厂开始寻求与现有晶圆代工厂合作以快速获取产出。继闪迪之后，业界传出美光也已低调接触力积电，就利用其铜锣新厂的闲置产能进行合作洽谈。该新厂设计最大月产能为4万至5万片，但目前设备装机率仅约20%，具备快速扩充的弹性。

美光此前已宣布，将2026财年的资本支出计划从180亿美元上调至200亿美元，以应对供不应求的局面。公司坦言，目前对关键客户仅能满足约50%至三分之二的需求。力积电证实正与多家大厂洽谈合作，这种“即战力产能”的争夺反映了当前存储芯片严重短缺的形势。

 

 

SK海力士预警：DRAM供应短缺或持续至2028年

SK海力士的内部分析报告指出，通用DRAM的供应紧张局面预计将持续至2028年。其主要原因是人工智能服务器需求的急剧增长，正全面吸收内存产能。

报告预测，服务器DRAM的市场份额将从2025年的38%大幅上升至2030年的53%。同时，AI PC的普及将进一步加剧需求压力，其市场份额预计将从2025年的38%增长至2026年的55%。

在供应端，产能增长面临结构性限制。新建晶圆厂从建设到产能全面释放需要数年时间，预计新增产能要到2028年才能实现。即使对现有产线进行技术转换，也需要较长的周期。在供应商库存已降至低水平的背景下，供不应求的状况预计将更为紧张。

SK海力士表示，其新增DRAM产能将集中用于面向数据中心客户的先进内存解决方案，而非通用DRAM。公司计划在未来两年内，将20台低数值孔径EUV光刻机集中用于HBM和先进存储产品的生产。

NAND闪存市场也面临类似趋势。瑞银预测，2025年第四季度DDR合约价将环比上涨35%，NAND Flash价格上涨20%；2026年第一季度，这两类芯片价格预计将进一步环比上涨30%和20%。

公司已完成专注于HBM生产的M15X工厂建设，该厂将于2026年全面量产。此外，还计划在2027年上半年开工建设龙仁晶圆厂。这一长期的供应紧张预期，通用DRAM在较长时间内可能成为相对稀缺的资源，给PC及游戏主机等市场带来持续的“芯片通胀”压力。

 

 

中国台湾存储业者预警：DRAM短缺或持续至2027年

中国台湾存储厂商钰创科技董事长卢超群近日表示，当前DRAM市场面临的核心问题是“没有新产能”，源自人工智能的强劲需求将使缺货问题持续存在。他预估DRAM供应至少到2027年上半年都将处于供不应求状态，2026年缺货情况已基本确定。

卢超群解释，DRAM晶圆厂的建设周期通常比逻辑晶圆厂更长，从动工到对营收产生实质贡献往往需要六年以上。此外，高带宽内存的生产进一步加剧了通用DRAM的供给压力，因为一颗HBM大约需要用到20颗传统DRAM。

在极端供需失衡下，市场主导权已完全转向供应方。卢超群透露，部分供货商采取“先比价、再分货”的模式，并要求客户预先提交未来一季的需求量，再由厂商根据产能情况核拨数量，未在预购名单内的客户基本无法获得供应。

针对终端市场，卢超群认为这将导致市场呈现三极分化：高阶应用不计成本获取资源；主流市场承担合理价格上涨；而低阶市场则可能被迫降低规格或退出。这种结构性变化也反映在钰创自身的业绩上，公司今年11月营收达到新台币5.03亿元，较去年同期大幅增长120%。卢超群强调，“内存永远便宜”的时代已经结束。

 

 

存储芯片价格涨势或于2027年中触顶 HBM市场持续扩张并全线告急

近期多家华尔街机构预测，存储芯片市场由AI驱动的繁荣周期将延续，但通用存储芯片的价格上涨趋势可能在约两年后迎来拐点。美国银行预测繁荣至少会持续到2026年，证券公司Rosenblatt预测DRAM和NAND闪存的需求将持续超过供应直至2027年。投资银行Baird更具体预测，DRAM和NAND闪存的价格涨幅将在2027年年中达到峰值后开始回落。

与此同时，高带宽内存市场被普遍看好将持续快速增长。近期，三星电子和SK海力士已对主流HBM3E的2026年供应价格上调近20%。此次调价主要由多重需求超预期增长驱动，关键因素包括英伟达获准向中国出口H200 AI加速芯片。每颗H200需搭载6个HBM3E堆栈，而英伟达首批订单预计涉及4万至8万颗芯片，相关需求将在2026年集中释放。同时，谷歌第七代TPU与亚马逊Trainium3也计划于2026年出货，其单芯片HBM容量较前代提升20%-30%。

供应方面，现有HBM3E产能已无法满足激增的订单。分析师预测2026年HBM市场中HBM3E仍将贡献约45%的营收，其紧缺状态至少持续至当年第三季度。下一代HBM4的供应价格预计将比当前的HBM3E高出50%以上。

行业龙头对市场前景极为乐观。美光透露其2026年全年的HBM产能已全部售罄，并预计HBM总潜在市场规模将在2028年达到1000亿美元，较2025年的350亿美元实现约40%的复合年增长率。为支撑增长，美光计划在2026年投入高达200亿美元的资本支出。目前，全球HBM市场份额高度集中，按营收计算，SK海力士以57%位居第一，三星电子占22%，美光占21%。

 

 

DDR5现货价年涨460% HBM与通用DRAM价差快速收窄

摩根士丹利发布报告指出，生成式人工智能正驱动产业链焦点从“芯片设计竞赛”转向“物理产能争夺战”。报告预测，到2026年，云端AI加速器市场规模将冲上3120亿美元，并预计在2029年达到5500亿美元，四年复合年增长率高达36%。

在强劲的AI需求驱动下，供应链正从“过剩”迅速转向“极限”。报告特别指出，DDR5现货价格年涨幅曾一度高达460%。这种极限供需状况使得掌握制造能力的厂商议价权显著增强。

市场供需动态也反映在具体产品价格上。TrendForce的调查显示，因各大云端服务供应商扩大服务器备货，2025年第四季度服务器DDR5合约价季度增幅远超预期。原本HBM3e价格高出Server DDR5四至五倍，但预计至2026年末，两者价差将缩小为一至二倍。

从市场格局看，Counterpoint第三季度报告显示，全球DRAM市场规模季度增长26%。其中，SK海力士以34%的市占率保持第一，三星电子为33%。在HBM细分市场，SK海力士市占率为57%，依然领先；三星电子市占率从上一季度的15%攀升至22%，超越美光（21%）成为第二。同时，主要供应商减产传统DRAM造成供应短缺，为其他厂商带来机会，如南亚科的市场份额从1%提高至2%。

 

整体而言，AI驱动的爆炸性需求正重塑半导体产业的价值链，制造产能已成为最关键的稀缺资源，推动行业进入一个由产能主导、价格持续上行的新周期。

 

 

三星放缓DDR4停产并计划签订NCNR长约

随着DDR4市场价格因供应缩减而急剧攀升，三星电子已调整产能策略，决定放缓原定于2025年底部分DDR4产能的停产步伐。目前，DDR4 16Gb的现货价格已飙升至约60美元，创下新高。

三星计划在2026年第一季度与特定服务器领域客户签订名为“NCNR”（不可取消、不可退货）的长期供货合约。消息称，其可能为DDR4 16Gb产品设定合约价格在20美元以上，远低于当前现货价，但合约可能包含未来进一步调价的条款。

这一策略调整部分源于利润权衡。三星正考虑将部分HBM3E产能转投至DDR5 RDIMM模组，更专注于下一代HBM4的竞赛，同时保留利润丰厚的成熟DDR4产能。其旧制程的DDR4产品预计将至少维持供应至2026年底，但主要面向车用或自有品牌等特定领域。

整体而言，三星释放的有限产能难以缓解市场整体的严重紧缺。2026年DDR4预计将持续供不应求，价格仍有上涨空间。这种普遍的产能紧张也促使国际大厂寻求其他途径，例如美光等公司正与拥有空闲厂房空间的力积电洽谈合作，以期利用其铜锣新厂（目前仅安装约8000多片月产能设备，最大设计月产能4万至5万片）快速提升产出。

 

 

OpenAI与英伟达需求冲击 加剧内存短缺

OpenAI近期与三星、SK海力士达成协议，锁定相当于全球约40%的DRAM供应量，规模相当于三大存储厂商总产能的57%。高盛分析师估算，为支撑其先进AI模型运行，OpenAI每月需约90万片DRAM晶圆。此举引发的供应短缺担忧已迅速传导至下游硬件价格。

消费端内存价格已出现剧烈波动。32GB DDR5内存套装在三周内涨价156%至330美元；第四季度DDR4与DDR5整体价格上涨达2至3倍。同期NAND闪存合约价普遍上涨20%-60%。显卡市场同样受冲击，预计AMD Radeon 8GB版本显卡将涨价约20美元，16GB版本涨幅或达85美元。部分整机订单交付已推迟至2026年12月。

与此同时，英伟达正为其人工智能芯片大规模采购LPDDR5X内存。行业分析机构Counterpoint Research指出，由于单台AI服务器所需的内存芯片数量远高于一部手机，英伟达的需求规模堪比一家大型智能手机制造商，这给现有供应链带来了难以迅速消化的突发性压力。该机构警告，由此加剧的供需紧张可能导致内存价格在今明两年内翻倍。

咨询公司贝恩的分析显示，内存芯片价格上涨20%至30%，可能最终导致智能手机、PC等消费电子产品的制造成本上升5%至10%。此次供应紧张反映出AI产业对核心硬件资源的争夺已进入关键阶段，预计未来一年消费级硬件升级成本将持续上升，供应链稳定性成为行业关注焦点。

 

 

存储芯片库存低至8周 短缺或持续至2027年

当前存储市场正面临严峻的供应紧张。据报告显示，个人电脑及移动设备用的DRAM库存仅能维持约9周，而SSD库存更为紧张，仅能维持约8周。服务器DDR内存库存也仅够维持11周。具体到笔电厂商，其NAND闪存和SSD库存同样仅约为8周，部分厂商库存甚至可能在明年3月前耗尽。这一状况远低于此前10月份时PC厂商约18周、供应商约12周的健康库存水平。

库存的急剧消耗推动了价格大幅上涨。今年第四季度，DDR合约价环比上涨35%，NAND Flash合约价环比上涨20%。展望后市，预计2026年第一季度DDR合约定价将进一步上涨30%，NAND价格将再涨20%。

此轮供应短缺具有长期性特征。报告预计，全球DRAM市场的供应短缺预计将持续到2027年第一季度，而NAND Flash的短缺态势也将持续至2026年第三季度。需求的迅猛增长是核心驱动因素，其中DDR的需求增速高达20.7%，远超供应增长。

供应紧张正迫使下游厂商采取紧急应对措施。为优先保障AI基础设施的供应，消费端产能被挤压。部分笔记本电脑制造商已开始考虑减少未来新机型预装的SSD容量，并提前停产现有产品型号。与此同时，市场格局也在演变，SK海力士预计将在未来的HBM4市场上保持约70%的主导市占率。

 

 

NAND报价单月飙涨近50% 模组厂库存仅能支撑至明年首季

供应链消息指出，美光科技近期开出的NAND闪存报价单月涨幅接近50%。价格急剧波动迫使下游存储模组厂转向采用浮动报价方式接单。

目前，多家模组厂商的NAND库存预计仅能支撑到2026年第一季度。行业预警，从2026年3月起，部分厂商可能出现无货可交的情况，而进入第二季度后，缺料问题恐将普遍化。即便是龙头模组厂，其库存也大多只能满足上半年需求，下半年市场供应预计将比当前更为吃紧。

面对供应形势，下游PC和笔记本电脑制造商已开始重新规划产品规格以应对成本压力。为维持整机售价，部分厂商正考虑在2026年的新品中将标准SSD容量下调，例如将原计划的512GB规格降至256GB，或将1TB规格降至512GB。

业内资深人士指出，这是“近十年来最困难的一次”抢货状况，并预估2026年第二季度后可能出现“无货可交”的局面。行业分析认为，原厂当前策略倾向于控制产能、维持供应紧缩，以支撑市场价格稳定。

 

 

Q4存储市场「量缩价扬」 渠道SSD价格暴涨逾150%

第四季度存储现货市场呈现供应紧张与价格飞涨的“量缩价扬”特征。其中，渠道SSD价格普遍上涨150%，个别容量产品涨幅甚至超过两倍；512Gb及以上容量NAND资源现货价格累计涨幅环比普遍超过一倍。

供应短缺已从消费级向多领域扩散。主要DRAM原厂的消费类DDR4供应近乎停滞。移动端内存供应极度紧张，个别原厂LPDDR4X资源的综合成本已高达约0.8美元/GB。

服务器市场成为涨价的核心驱动力。在AI数据中心建设加速的背景下，原厂服务器DRAM供应满足率处于低位，四季度服务器DRAM价格显著上涨，预计一季度其价格涨幅仍将高达40%以上。

展望2026年第一季度，涨价趋势预计将持续。CFM闪存市场预测，Mobile eMMC/UFS价格涨幅将达25%~30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%~35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%~35%，客户端SSD（cSSD）将上涨25%~30%。报告进一步指出，2026年手机嵌入式DRAM平均成本预计将较2025年翻倍上涨，嵌入式NAND Flash平均成本也将同比上涨逾60%。

 

成本压力正影响下游产业。为平衡成本，品牌商已采取缩减规格配置（如2026年低端手机市场可能退回以4GB DRAM为主流）、暂缓升级等策略。行业分析认为，此轮上行周期预计至少将延续至2026年底。

 

 

金士顿预警NAND价格年内飙涨246% SSD与HDD价格全面承压

金士顿近期预警指出，存储器价格将持续上涨。该公司透露，2025年内NAND Flash价格已累计暴涨246%，其中70%的涨幅集中在最近60天内，且短缺问题预计在未来30天内进一步加剧，将直接推动固态硬盘价格攀升。

由于NAND Flash占据传统SSD物料成本的90%，其波动正迅速传导至终端产品。此外，传统机械硬盘也受波及，2025年第四季度HDD价格环比上涨约4%，创下过去八个季度的最大单季涨幅。TrendForce预计第四季度企业级SSD平均合约价将环比增长逾25%。对于终端市场，机构预测2026年第一季度存储器价格将显著上涨，可能迫使智能手机、笔记本电脑等产业或上调产品价格，或降低配置规格。

产业链公司也对前景表达了乐观预期。江波龙认为主要原厂产能扩张审慎，对2026年产能增量贡献有限。兆易创新则预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将供应紧张，其2025年利基型DRAM业务营收有望同比增长50%，并可能超越MCU成为公司第二大产品线。

 

 

美光调整战略应对供应短缺 延长订单锁期并退出消费级存储市场

为应对全球存储芯片供应紧张与人工智能数据中心带来的结构性变革，美光科技近日发布了新的订单政策并调整了其业务战略。新的订单政策规定，自2026年1月1日起，所有订单的变更锁定周期将从现行的30天延长至90天，且这些订单不可取消、不可更改价格或重新安排交付。该政策适用于2026年12月31日前下达的所有订单，包括于2025年下单但交付日期在2026年的订单。若客户要求提前交付，美光可能会收取附加费。

这一政策调整正值存储芯片市场供应短缺加剧。供应链消息指出，美光的NAND闪存报价近期曾出现单月涨幅接近50%的情况。部分厂商的NAND库存预计仅能维持到2026年第一季度，从3月起可能面临无货可交的局面，第二季度后缺货现象或更加普遍。

同时，美光正式宣布将全面退出运营了29年的Crucial消费级存储业务。相关产品将持续出货至2026年2月底，此后将停止向消费渠道供货。此举是为了将3D NAND和DRAM的产能与投资重新分配给企业级SSD、高带宽内存及服务器级内存模块等高需求领域，以支持人工智能数据中心增长。

市场分析认为，美光的退出将加剧消费级市场的供应紧张与价格上涨。数据显示，2025年11月通用PC用DDR4 8Gb价格已达8.10美元，较1月的1.35美元上涨500%；同期，NAND（128Gb）价格也从2.18美元涨至5.19美元，涨幅达138%。在供应商减少、产能持续向AI领域倾斜的背景下，消费级市场的短缺与涨价压力预计将持续。

 

 

美光2026全年HBM产能已全部售罄

美光高管透露，其2026年全年高带宽内存（HBM）的供应已与客户就价格和数量达成协议，产能全部售罄。公司预计，HBM的总潜在市场规模将在2028年达到1000亿美元，较2025年的350亿美元大幅跃升。公司目前仅能满足重要客户约50%至三分之二的需求，供应紧俏态势预计将延续至2026年之后。

基于强劲表现，美光对下一财季给出了远超市预期的指引，预测营收将达到187亿美元。同时，公司上调了对2026年行业需求的预测，预计DRAM需求增长将处于20%出头区间，NAND需求增长约17%-19%。公司预计自身在2026日历年的DRAM与NAND出货量同比增长均将达约20%。

 

 

数据中心需求激增 HDD合约价格创近八季度最大涨幅

受大规模数据中心特别是AI需求强劲推动，机械硬盘市场正面临显著供应压力与价格上涨。行业报告显示，2025年第四季度HDD的合约价格环比跳升约4%，创下近八个季度以来的最高单季涨幅。供应商预计上涨压力将持续，部分产品的交货周期甚至已延长至两年。

此次价格上涨主要受两大需求驱动：一是美国数据中心领域对大容量近线硬盘需求持续增长，AI工作负载扩展推高了数据存储需求；二是中国PC市场因政府采购政策偏好国产CPU与操作系统，意外带动了本地PC生产与硬盘需求回升。

目前硬盘制造商的产能利用率已达到高位，但仍无法完全跟上云服务提供商的需求增长。这一趋势与高带宽内存、企业级DRAM的供应短缺相互关联，HDD制造成本也受到整体内存价格上涨的影响。

供应商间接表明当前需求已预计超过供应，且到2026年，这种情况可能成为主流并进一步波及零售市场。

 

 

三星否认停产SATA SSD传闻

针对市场上关于三星电子将停产消费级SATA固态硬盘的传闻，三星官方已予以否认。作为全球最大的NAND闪存生产商之一，三星表示消费级SATA SSD市场需求依然旺盛。

当前，存储供应链正面临巨大挑战。人工智能行业的急剧需求导致DRAM和NAND闪存的持续供应紧张。这种短缺不仅影响了高性能的GDDR和LPDDR产品，也限制了消费级存储设备的供应，可能最终迫使PC制造商提高产品价格。

尽管否认停产，但行业确实存在向高性能NVMe产品倾斜的趋势。NVMe SSD能提供远高于传统SATA接口的传输速度，正日益广泛应用于高性能PC、服务器和数据中心。与此前美光退出其消费级Crucial品牌的策略不同，市场正密切关注三星是否会进行更长期的结构性调整。

在企业级市场，SATA SSD（如三星的PM883和SM883系列）在服务器中的地位也正随着行业向NVMe存储加速过渡而逐渐下降。分析师预计，零售市场的供应情况要恢复正常可能还需要数月时间。

 

 

 

英特尔晶圆供应紧张 多款先进CPU交付遇瓶颈

由于关键晶圆供应不足，英特尔承认其无法满足客户端和数据中心对部分新款处理器的全部市场需求。公司指出，若能获得更多晶圆，搭载台积电N3B工艺制造的Core Ultra 200系列Arrow Lake和Lunar Lake处理器出货量将可显著提升，供应紧张的部分原因在于英特尔初期向代工厂下单时态度较为保守。

当前，客户端市场对于新款处理器的需求异常强劲，超出了英特尔现有的供应能力。制约因素之一是英特尔将该系列处理器的芯片组生产也外包给了台积电，而台积电先进晶圆厂通常处于满负荷运转状态，使英特尔难以快速获得额外产能。公司预计今年第四季度及之后供应将有所增长，但仍不足以完全满足积压需求。

在数据中心方面，采用英特尔自身Intel 3工艺制造的Xeon 6 ‘Granite Rapids’ 处理器同样面临供应挑战。虽然英特尔已投资升级晶圆厂，但多数产线仍基于Intel 7等工艺，无法完全满足更先进节点芯片的生产需求。

目前，用于Lunar Lake处理器封装的LPDDR5X内存供应充足，短期内不会推高成本。但在全球DRAM价格高企的背景下，英特尔是否会调整其客户端CPU的售价仍有待观察。

 

 

 

DRAM价格飙升传导至显卡 GPU成本与售价或显著上涨

受AI数据中心需求驱动，DRAM产能供应紧张，价格上涨已从内存条传导至显卡领域。SK海力士表示，其明年的DRAM、NAND及HBM产能已全部售罄。价格方面，热门32GB DDR5-6000内存套装价格已从9月中旬的约125美元翻倍至超过250美元；64GB套装则从年初约200美元飙升至近500美元。

压力正蔓延至GPU显存。GDDR6价格已从年内每GB约2.50美元上涨30%至约3.30美元。行业分析显示，这可能使搭载16GB GDDR6显存的GPU物料成本增加约10美元，并最终导致零售价上涨25至40美元。若价格趋势加剧，例如GDDR价格上涨50%，则RTX 5070等显卡零售价可能上涨约50美元至600美元左右；若价格翻倍，主流显卡价格涨幅或高达100美元。

成本变化甚至可能影响新品规划。若配备18GB GDDR7的RTX 5070 Super所用显存价格同样上涨30%，其物料成本将接近12GB RTX 5070的两倍，为维持利润率，其售价可能需高出近100美元。AI驱动的强劲需求正挤压消费级显卡的显存供应与成本，未来数月GPU市场或迎来一轮由成本推动的普遍涨价。

 

 

显存供应紧张加剧 英伟达中端显卡或减产 AMD计划提价

受显存供应持续紧张影响，英伟达正考虑在2026年初减少RTX 5060 Ti与RTX 5070 Ti等中端显卡的供应。这两款显卡均采用16GB GDDR7显存，市场起售价分别约为429美元和749美元。

供应链数据显示，显存交货期已从原来的4至8周显著拉长至12至16周。受此影响，AMD计划在2026年1月上调其GPU官方建议售价，初步预估涨幅在5%至10%之间。行业分析指出，显存成本占显卡物料清单的35%至40%，其价格波动对终端售价影响显著。

市场报告进一步预测，AMD可能在2026年1月率先涨价，英伟达则可能于2月跟进，且后续存在“几乎每月上调一次”的可能性。报告分析称，GPU核心加显存的成本在交付给板卡厂时已占整卡成本的近80%，而DDR5等主流DRAM模块价格近期已出现数倍增长，这可能最终导致部分显卡市场价格达到官方建议零售价的两倍。目前，RTX 5090的售价可能接近5000美元。

面对传闻，华硕、技嘉、微星等一线板卡厂商表示尚未收到英伟达的正式减产通知。业者普遍对2026年市场展望转趋保守，若中端显卡因成本上升而涨价，其市场吸引力与销量恐将面临挑战。

 

 

英伟达拟于春节前向中国交付H200芯片，首批出货最高可达8万颗

据路透社援引知情人士消息，英伟达计划在2026年2月农历新年前，启动向中国客户交付其人工智能芯片H200。首批出货预计为5000至1万个H200芯片模组，消息人士透露，英伟达计划利用现有库存来满足首批订单，相当于约4万至8万颗H200芯片。此外，英伟达也已告知客户，计划新增该芯片的产能，预计2026年第二季度将开放相关产能的订单窗口。

与此同时，AMD为中国市场定制的AI芯片MI308也已获得出口许可，有报道称阿里巴巴集团正考虑采购约4万至5万颗该芯片。若以单价约1.2万美元、采购5万颗计算，订单总金额将达6亿美元。

在更广泛的产品线上，英伟达基于Blackwell架构的GB300 AI服务器机柜在2025年的出货量有望达到约5.5万台，同比增长129%。下一代Vera Rubin 200平台则预计将于2025年第四季度开始出货，部分供应商的订单能见度已远至2027年。

市场前景方面，数据显示中国AI芯片需求正快速增长，预计到2029年销售额将达到1890亿美元，这为英伟达、AMD等国际厂商以及华为、寒武纪等中国本土AI芯片企业均带来广阔机遇。不过，英伟达此次对华交付H200的计划仍存在不确定性，消息人士强调最终“都取决于政府核准”。

 

 

 

被动元件市场迎全面涨价潮 多家大厂涨幅最高达30%

全球被动元件市场近期迎来新一轮由成本与需求共同驱动的涨价潮。松下已正式通知，将于2026年2月1日起对三、四十个规格的钽电容产品调涨报价，涨幅介于15%至30%。此前，行业领导者国巨旗下基美公司已于11月1日调涨其T520、T521和T530系列钽电容价格，涨幅高达20-30%，这是其今年内的第二次调价。钽电容市场呈现寡头格局，KEMET、AVX和Vishay三大供应商合计占据近60-70%的市场份额。

其他类别的被动元件价格亦同步上扬。风华高科近期对多类产品实施调价，其中电感磁珠类产品价格调升5-25%，压敏电阻及瓷介电容的银电极全系列调升10-20%，厚膜电路类产品调升幅度更是达到15-30%。此外，合科泰电子对厚膜贴片电阻产品调涨8%-20%，富捷电子亦将厚膜电阻部分产品价格调涨8%-20%。

 

此轮全面涨价的根本原因在于上游原材料价格的飙升。今年以来，银价累计涨幅已达50%，铜、钯、锡、铋、钴等多种关键金属价格亦持续攀升，给制造商带来巨大成本压力。与此同时，市场历经两年多库存去化后已趋于合理，而AI服务器、汽车电子等领域的强劲需求进一步加剧了供需紧张，共同推动了本轮行业性的价格上涨趋势。

 

 

 

 

原厂快讯

ST

市场持续承压：汽车与工业需求疲软，消费电子与交期正常化成亮点

根据近期市场动态，意法半导体（STM）整体需求依然表现平淡，主要受汽车和工业两大终端市场持续低迷的拖累。目前，现货市场需求主要集中在电源管理IC与EPPROM存储IC等品类，而通用MCU及车规级物料的需求则相对较少。不过，消费电子领域呈现出结构性亮点，主要得益于可穿戴设备与高端手机市场的带动，其电源管理芯片的订单实现了增量增长。在供应层面，工业和汽车领域的需求尚未显现复苏迹象，但整体交货周期已趋于正常化，目前大部分产品的标准交期稳定在12至16周的范围内。

 

 

Renesas

战略转型： 评估出售时钟业务，推出业界首款支持9600 MT/s的DDR5 RCD

近期，瑞萨电子（Renesas）通过一系列举措加速其战略转型，聚焦于汽车、工业及AI基础设施等核心市场。2025年10月中旬，据路透社等媒体报道，公司正考虑出售其时钟业务部门，估值约20亿美元，旨在优化资产组合并获取资金。紧接着在11月12日，瑞萨电子发布了业界首款支持9600 MT/s 传输速率的第六代DDR5寄存时钟驱动器（RCD），为AI服务器和高性能计算领域树立了新的性能标杆。数日后，公司于11月14日宣布了涉及多位副总裁及联席首席技术官的企业领导层变更，以进一步推动战略执行。这一系列动作清晰地展示了瑞萨电子在资产优化、技术突破与组织调整三维度同步推进的战略方向。

 

 

TI

订货需求回暖但短缺需求仍疲弱，现货市场部分型号价优

根据近期市场观察，德州仪器（TI）的客户订货需求量有所增加，显示出一定的市场活动回暖。然而，市场对于物料短缺的预期和需求依然较为疲软，未形成普遍的紧张态势。从价格层面看，部分型号的产品订货价格已完成调整。与此同时，在现货市场，部分型号的货物已出现具有吸引力的价格，为采购提供了窗口。整体市场呈现订货端回暖与现货供应局部宽松并存的态势。

 

 

ADI

公布强劲财报：第四季度营收30.8亿美元，全年收入同比增长17%

根据近期市场动态，亚德诺（ADI）的需求有所回暖。市场预期在2026年2月左右可能迎来新一轮价格调整，建议相关方根据需求提前规划备货。

公司最新公布的第四季度及2025财年财报表现强劲。在第四季度，ADI实现营收30.8亿美元，所有终端市场均实现同比增长，其中以通信和工业领域的贡献尤为突出。纵观整个2025财年，公司总收入达到110亿美元，相较于2024财年实现了17% 的显著增长。

 

 

Broadcom

获三星HBM3E强力支持，AI与网络核心型号需求持续火热

博通（Broadcom）产品价格整体保持稳定，目前公司增长的核心动力明确集中在AI芯片与网络设备领域。近期供应链关键动态显示，三星由于未能解决散热和良率等技术问题而进入英伟达HBM供应链受挫，现已转而将HBM3E产能全力供应给博通，并已开始陆续出货。市场分析指出，三星的供应量有望占据博通HBM总需求量的50%以上。这一深度合作预计将显著增强博通在AI服务器及定制芯片市场的竞争优势，特别是在当前高带宽存储需求迅猛增长的行业背景下。

市场热门需求持续聚焦于以网络通信和AI数据中心为核心应用的特定型号。其中，智能网卡芯片BCM57508、高性能以太网交换芯片BCM56870A0KFSBG，以及交换机芯片SS24-0B00-02和SS26-0B00-02等产品，依然是市场需求的重点。

 

 

Microchip

部分MCU交期延长，车规器件供应持续紧张

Microchip（微芯）在12月并未面临全面的供应短缺，但其部分微控制器（MCU）产品线，特别是在工业和汽车应用领域，仍处于供不应求的状态，导致交货周期有所延长。具体来看，8位和16位微控制器以及车规PIC器件的交货时间持续拉长，采购方需提前规划下单。

这背后是较低的生产制造产能弹性，叠加了来自工业和汽车领域相对稳定的需求。尤其是在汽车领域，市场需求保持平稳，但由于严格的认证要求和较慢的补货周期，车规器件的供应状况相比通用器件显得更为紧张。

 

 

onsemi

需求激增致交期大幅延长，AI电源管理芯片仍紧缺

近期，安森美（onsemi）的市场需求呈现显著增长，主要驱动力源于安世半导体的大面积物料短缺，促使众多客户积极寻找替代方案。具体而言，市场对小信号MOS管、二极管、晶体管和逻辑IC等分立器件的替代需求强劲，同时，用于AI领域的电源管理芯片也持续面临短缺。

受此影响，安森美相关产品的交货周期已大幅延长。目前，二极管与晶体管的交期普遍延长至15至25周，MOS管的交期范围扩大至8至42周，而防静电保护管的交期也已拉长至10至22周。市场普遍预计，上述产品的供应紧张局面将持续，交期在未来一段时间内可能进一步延长。

 

 

Infineon

部分车规料受替代需求拉动，现货出现短期缺口

受安世、安森美等厂商部分车规级MOS管及晶体管缺货的影响，市场对可替代的英飞凌（Infineon）车规物料需求出现小幅度增长，导致部分物料现货供应紧张，交货周期出现暂时性延迟。例如，BSC023N和BSC021N系列型号已出现短期现货缺口，后续供需变化值得持续关注。

另一方面，服务器应用领域的需求呈现分化态势。此前需求旺盛的料号如TDA21472系列，近期需求有所疲软，可能是客户正在评估替代物料方案。然而，型号IR3889的供应依然紧张，其交期持续紧绷，市场价格也呈现一路上涨的趋势。

 

 

NXP

退出氮化镓5G PA市场并关闭ECHO Fab工厂，现货市场供应趋于平稳

恩智浦（NXP）近日宣布了一项重大的战略调整，正式关闭了其位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO Fab晶圆厂，并决定全面退出基于氮化镓(GaN) 技术的5G射频功率放大器芯片制造业务。此举标志着该公司在5G基础设施芯片领域的一次显著战略收缩。

在市场供应层面，本月NXP的现货市场需求表现依旧疲软。然而，随着供需关系的调整，现货库存水位已逐渐下降至更为合理的水平，部分通用型号的物料库存已转为充足状态。

 

 

Xilinx

主导高端FPGA市场，国产厂商崛起推动供应链多元化

FPGA市场正持续增长，赛灵思（Xilinx）在数据中心、5G通信及人工智能等高端应用领域继续保持稳固的市场地位。与此同时，全球FPGA供应链呈现明显的多元化趋势，以紫光同创和安路科技为代表的国产FPGA厂商，已在工业控制和消费电子等中低端应用市场构建了可靠的替代方案，为下游客户提供了增强供应链弹性和选择灵活性的新路径。

这一“高端主导、中低端分流”的市场格局，对于产业链相关方的产品选型与采购策略规划具有重要的指导意义。同时，业界仍需持续关注赛灵思面向人工智能应用推出的Versal平台等前沿技术动态。

 

 

Panasonic

松下日本调涨部分POSCAP钽电容价格，涨幅达15%-30%

松下（Panasonic）日本公司已于11月底向客户发出正式涨价通知，针对旗下部分型号的POSCAP聚合物钽电容器进行价格调整。此次调涨幅度显著，介于15%至30%之间。值得注意的是，本次涉及涨价的钽电容产品，正是广泛应用于AI服务器等高性能计算领域的关键元器件，其价格变动将对相关下游产业链的成本构成产生影响。

 

 

 

 

现货行情

Memory市场动态

eMMC / NOR Flash:

eMMC市场呈现普涨格局，涨速及幅度超出此前市场预期。买盘情绪高涨，现货市场出现“报盘即成交”现象，前期低价库存已基本消化完毕，市场看涨预期一致。

• 供应分析：原厂供应持续收紧。铠侠/闪迪eMMC渠道货源极度稀缺，仅存少量高价报盘。小容量NOR/NAND Flash全线上涨，华邦、旺宏等厂商已官方调涨报价，导致市场报价体系混乱，实际成交价差较大。
• 厂商动态：旺宏（MXIC）领涨明显，且原厂已将标准交期延长至8-10周，预示供应紧张态势中期内将持续。

 

 

DRAM

市场呈现明显分化，DDR4/LPDDR涨势凌厉，DDR3承压。

• DDR4：进入加速上行通道，各品牌价格均创阶段性新高。需求端采购行为激进，尤其对4Gb、8Gb容量规格“见货即扫”，推动价格快速攀升。16Gb规格因现货稀少，价格持续刷新，卖方惜售情绪浓厚。南亚科（Nanya）8Gb产品涨幅领先同业，反映其市场策略或供应结构变化。
•  DDR3：与主流需求脱节，由于渠道及模组厂库存水位较高，价格出现小幅回落，呈现滞涨阴跌态势。
• LPDDR：成为本轮缺货涨价的“重灾区”。全系列产品严重供不应求，近两周价格实现翻倍增长。美光虽有部分货源释出，但报价亦同步大幅跳涨，凸显原厂控货及分配策略趋紧。
• 趋势判断：DDR4 4Gb/8Gb/16Gb仍是市场关注焦点，短期供需失衡难解，价格支撑力强。

 

 

服务器内存

市场呈现典型“卖方市场”特征，供应短缺是核心矛盾。

• 供需状况：渠道DIMM模组报盘活动清淡，大容量产品（如96Gb、128Gb）近乎“有价无市”。原厂资源分配有限，导致上游到货持续不足。
• 价格走势：在短缺预期推动下，整体价格保持稳中上扬态势。其中，64Gb产品受主流平台需求直接拉动，涨势明确。大容量内存条成为产业链稀缺资源，预计将长期维持供应紧张格局。

 

 

 

 

存储市场动态

 

HDD

需求向大容量企业级产品集中，供应端行为谨慎。

• 需求端：希捷企业级硬盘（8T-24T）需求旺盛，指向数据中心扩容及云服务资本开支。
• 供给端：供应渠道普遍采取“控量观望”策略，仅小批量出货，导致市场流通的大批量（500片以上）货源极其有限，并出现“量少价平、量大价升”的异常定价现象。
• 厂商动向：西部数据已暂停接收新订单，正在进行全局性价格评估，此举可能进一步加剧市场供应紧张及看涨预期。

 

 

SSD

价格温和上涨，品牌间策略分化。

• 三星消费级SSD价格延续涨势，渠道库存处于低位，但尚未出现大规模短缺。
• Solidigm产品价格竞争力相对提升，或为抢占市场份额的策略性举措。
• 消费级市场对价格波动更为敏感，涨幅高于企业级产品。

 

 

 

 

CPU市场动态

移动平台

• 需求稳健，英特尔低功耗N系列（N95/N97/N150）为绝对热点，价格受供应紧张推动持续上行，现货市场以小批量交易为主。

 

 

PC CPU

• 市场气氛平淡，英特尔12-14代酷睿散片价格横盘整理，反映终端需求疲软，缺乏批量成交驱动。

 

 

服务器CPU

• 需求仍以英特尔第3/4代产品为主，价格受部分替代需求及库存消耗推动微涨，但成交体量有限。

 

 

 

网卡与存储控制器市场动态

RAID控制器

• 博通（Broadcom）产品线供应紧张。9560-16i及9540-8i等高性能型号严重缺货，价格高企，预计12月下旬到货可能缓解当前极端状况。市场消息证实，博通已对9560-8i等主力产品执行约18%的官方涨价，并延长标准交期，成本压力正向下游传导。

 

 

网卡

• 英伟达旗下MCX75310AAS-NEAT等高端网卡产品处于渠道控货状态，供应受限，满足AI服务器等高端需求存在挑战。