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电子元器件供应链观察 | 2025年11月篇

2025-11-04 14:01:22

市场洞察与行情

全球半导体第三季度销售额突破2084亿美元，环比猛增15.8%

2025年第三季度全球半导体产业销售额达2084亿美元，较上季度强劲增长15.8%。其中9月单月销售额达到695亿美元，较2024年同期的555亿美元大幅增长25.1%，较今年8月环比上升7.0%。

从地区表现来看，9月亚太及其他地区同比飙升47.9%，美洲市场增长30.6%，中国与欧洲分别实现15.0%和6.0%的增幅，日本市场则出现10.2%的下滑。环比数据方面，美洲地区以8.2%的涨幅领跑，亚太及其他地区增长8.0%，中国与欧洲分别上升6.0%和5.5%，日本市场微增1.6%。

美国半导体行业协会（SIA）总裁兼首席执行官约翰·纽佛指出，这一强劲增长主要得益于存储芯片与逻辑芯片等多元产品需求的全面提升，特别是亚太地区与美洲市场的持续驱动成为推动年度增长的关键引擎。

安世断供冲击供应链，车规MOSFET交期延至12周、涨幅或超20%

全球功率半导体市场因安世半导体（Nexperia）受出口管制而陷入供需失衡，预计第四季度二极管与MOSFET价格将普遍上调5%-15%，高阶车规与工控元件涨幅甚至可能超过20%。

供应链消息显示，10月中旬起车规级MOSFET交期已延长至12周以上。安世东莞工厂产能大幅缩减，而安世在中国大陆的产能占其整体产能的80%，中国市场贡献其全球销售额约50%，供应中断影响深远。

此次供应危机恰逢需求激增：一台AI服务器所需MOSFET数量为一般服务器的3-5倍，电动车对高压功率芯片需求也急剧上升。若供应问题持续，此轮缺货涨价态势可能进一步蔓延。

美光预警：2026年DRAM供应极度紧张，HBM需求激增三倍加剧失衡

近日，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana预计，到2026年时，DRAM市场仍将面临极度紧张的局面，且供需失衡问题会进一步加剧。他指出，由于人工智能应用对高带宽内存（HBM）的需求大幅上升，其所需晶圆量约为标准DRAM的三倍。尽管美光已将大量产能转向HBM产品，但新工厂建设成本攀升以及投产周期延长，明显加剧了整体供应压力。

Sumit Sadana透露，目前，美光已开始对其下一代HBM4产品进行采样，预计该产品在功耗表现上将优于竞争对手；不过，2026年其出货量仍将有限。此外，针对近期DDR4 DRAM价格明显上涨，他坦言因产能受限，美光难以完全满足市场需求。公司虽计划逐步停止DDR4的生产，但会通过其美国工厂略微延长生产时间以支持长期客户，不过可能仍无法达到满产预期。

内存价格预测更新：DDR5合约价涨幅上修至18-23%，2026年持续看涨

根据TrendForce最新调查，2025年第四季服务器DRAM合约价涨势强劲，一般型DRAM价格涨幅预估已从原先的8-13%上修至18-23%，且可能继续上调。展望2026年，全球服务器整机出货量预计年增约4%，单机DRAM搭载容量持续提升，将推动DRAM位元需求超预期，导致供给短缺延续。

2026年DDR5合约价预计将保持全年上涨态势，尤其以上半年涨幅最为显著。与此同时，HBM3e合约价预计将转为年减。HBM3e与DDR5的价差正快速收敛：2025年第二季时两者价差超过四倍，而到2026年第一季，DDR5的获利表现将超越HBM3e。

由于HBM3e与DDR5产能相互竞争，在获利结构翻转后，供应商可能进一步增加Server DDR5供给以巩固获利。同时，面对HBM3e需求动能仍强但价格趋稳的局面，供应商也可能通过调整产品组合定价来平衡利润。原厂在DDR5与HBM之间的产能配置策略，将成为影响后续市场价格走势的关键因素。

存储市场迎“超级涨价周期”，2027年规模或破3000亿美元

根据摩根士丹利最新研究报告，在AI驱动导致存储行业供需失衡加剧的背景下，全球存储市场正迎来持续数年的“超级周期”，预计到2027年市场规模有望突破3000亿美元。德邦证券分析指出，与前两轮主要由消费电子拉动的周期不同，本轮行情由AI算力基建需求推动，持续性预计更强。

从行业数据来看，多家国内A股上市存储模组企业的存货规模显著，其中江波龙以约80.76亿元存货位居行业首位，德明利与佰维存储分别以约46.43亿元和43.82亿元紧随其后，万润科技、朗科科技及同有科技的存货规模则在2亿元至4亿元区间。在当前“存货为王”的市场环境下，上游原厂控制出货并持续提价，使得模组厂严格控制出货节奏，进一步推高成品价格。

据业内消息，美光已向渠道发出存储产品涨价20%至30%的通知，三星也预计第四季度DRAM类产品价格将上涨15%至30%，NAND类产品涨幅约5%至10%。威刚董事长陈立白表示，当前四大存储类别全面缺货为其从业三十余年罕见，预计第四季度将成为存储大多头的起点，明年行业前景持续看好。CFM闪存市场预测，在AI服务器出货扩大、手机新品发布催生换机需求以及原厂控货策略的共同作用下，四季度存储市场价格将迎来全面上涨。

三星、SK海力士Q4 DRAM与NAND价格大幅上调30%

三星电子与SK海力士计划在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30%。投行预测DRAM平均售价将上涨25-26%。这一趋势由谷歌、微软等科技公司对AI数据中心的大量投资驱动。预计到2030年，HBM市场规模将突破1000亿美元，新一代HBM4价格较当前产品高出60%。

行业预计DRAM和NAND价格上涨趋势将延续至2026年，花旗预测DRAM同比上涨37%，NAND同比上涨39%。为应对短缺，多家企业已开始囤积内存并签订长期供应协议。

现货市场方面，主流DDR4芯片价格周环比上涨9.86%，512Gb TLC晶圆价格飙升27.96%。预计第四季度NAND合约价将全面上涨5-10%，普通DRAM价格预计环比增长8-13%。若计入HBM产能影响，整体DRAM涨幅将扩大至13-18%。供应端态度积极，闪迪已率先涨价10%，美光也暂停报价以调整产能。

SK海力士：HBM短缺将持续至2027年，HBM4本季出货

SK海力士在第三季度财报会议中确认，高带宽内存（HBM）供应短缺将持续至2027年。受AI市场强劲增长驱动，目前该公司HBM产品已全部售罄，价格维持在盈利水平。HBM虽仅占其DRAM总出货量的20%，却贡献了超过50%的营业利润。

为应对持续需求，SK海力士将于本季度开始出货新一代HBM4产品，并于2025年全面扩大销量。公司指出，当前存储市场已进入“超级周期”，所有产品线需求均超预期。与2017-2018年周期不同，本轮需求由AI转型驱动，覆盖更广泛应用领域。预计2025年服务器整体出货量将增长约10%，AI服务器与通用服务器需求同步提升。

在供应端，HBM产能扩张将导致一般DRAM供应持续紧张，这将成为支撑本轮存储超级周期延续的关键因素。

三星HBM3E降价30%冲击市场

据行业消息，三星电子近期将12层HBM3E产品交货价格调降约30%，目前报价约为200美元，显著低于SK海力士同类产品的300美元售价。这一调价预计对SK海力士构成压力，其HBM3E 12层产品占HBM总收入约60%。

面对竞争，SK海力士正推动全公司提升盈利，展望明年营业利润有望达50万亿韩元。NH Investment & Securities报告将其明年DRAM平均售价增幅预期从12.6% 上调至19.2%，HBM4产品预计将有显著增长。

然而，SK海力士在成本控制上面临挑战，其将HBM4关键部件“基片”外包给台积电，导致成本比自主生产高出六倍。加上HBM4成本预计比HBM3E增加约30%，以及NVIDIA的降价压力，利润率提升可能受限。

若SK海力士HBM3E产品价格以每季度10%左右速度下降，到明年年底，其与三星电子的价格差距或将消失。三星采取“数量攻势”策略，不惜短期亏损以扩大供应，进一步加剧市场竞争。

全球八大云服务商2025年资本支出将突破4200亿美元，年增幅高达61%

根据TrendForce最新研究，受AI服务器需求强劲驱动，全球八大云服务商（谷歌、AWS、Meta、微软、甲骨文、腾讯、阿里巴巴和百度）2025年资本支出将突破4200亿美元，相当于2023与2024年支出总和，年增幅高达61%。展望2026年，在AI机柜解决方案持续放量推动下，总资本支出有望进一步增长至5200亿美元以上，维持24%的年增长率。

支出结构正从直接收益设备转向服务器与GPU等核心资产，其中GB200/GB300机柜成为布局重点。自研芯片方面，北美四大CSP加速推进：谷歌与博通合作的TPU v7p预计2026年逐步放量，出货量有望实现超过40%的年增长；AWS的Trainium 2将在2025年底推出液冷版本，预计2025年自研ASIC出货量将成长一倍以上，增速居首；Meta与博通合作的MTIA v2将于2025年第四季量产，待2026年搭载HBM的MTIA v3推出后，出货规模将呈现双倍成长；微软虽规划由GUC量产Maia v2，但短期内出货量仍相当有限。

AI服务器市场高速增长，2026年出货量预计跃升逾20%

根据TrendForce最新分析，受云端服务业者（CSP）与主权云需求稳健、GPU与ASIC拉货动能提升，以及AI推理应用发展的推动，预计2026年全球AI服务器出货量将年增逾20%，占整体服务器比重达17%。2025年AI服务器出货年增率微幅下修至约24%，但产值在Blackwell新方案及GB200/GB300等高价值整合型方案带动下，预计年成长近48%；2026年产值有望进一步增长30%以上，营收占比将升至74%。

在AI芯片竞争格局方面，2025年NVIDIA预计仍占据约70%市场，但2026年因北美CSP及中国自研芯片力道增强，ASIC拉货成长幅度将高于GPU，可能导致NVIDIA市占下滑。同时，高阶AI芯片配套的HBM消耗量预计2026年将年增逾70%，主要受B300、GB300、R100/R200、VR100/VR200等芯片渗透及Google TPU、AWS Trainium推进至HBM3e世代所驱动。

AI存储需求激增，大容量Nearline SSD加速替代HDD

据TrendForce最新调查，AI推理应用正推动存储市场结构转变。随着HDD每GB均价从0.012–0.013美元升至0.015–0.016美元，成本优势减弱，促使NAND Flash供应商加速开发大容量Nearline SSD。

技术方面，NAND Flash通过3D堆叠向200层以上发展，积极投入122TB乃至245TB等超大容量Nearline SSD生产，预计2026年2Tb QLC芯片将逐步放量，成为降低成本关键。

性能上，SSD在AI推理中IOPS达HDD数百至数千倍，延迟仅为微秒级，远低于HDD的毫秒级；每TB功耗亦显著更低，长期可为数据中心节省可观电费、冷却与空间成本。

这一趋势为NAND Flash供应商带来新增长动力。各厂商正将投资重心转向高密度QLC产品，不仅满足当前需求，更着眼于未来数据中心存储架构主导权。尽管HDD在完成HAMR技术升级后仍有降本空间，但NAND Flash凭借成本下降速度与产能弹性，预计将持续扩大其在AI存储领域的市场份额。

全球NAND闪存供应紧张，价格预计上涨逾20%且缺货将延续至明年

云端服务供应商（CSP）及AI数据中心需求正推动存储市场出现多品类同步缺货。威刚董事长陈立白指出，当前DDR4、DDR5、NAND Flash及硬盘均供应紧张，其中NAND Flash缺货预计将持续至明年上半年。

价格呈现明显上涨趋势，随着三星、SK海力士及美光停产DDR4，DDR4价格涨幅将领跑各类产品。韩国品牌新合约价预计上调20%至30%，TrendForce也预测今年第四季度NAND闪存价格将环比上涨5%至10%。

库存数据反映供应紧张，陈立白透露，第四季度存储器上游库存仅维持约2周水位，为十多年来罕见低位。威刚计划将库存从约新台币100多亿元提升至200亿元以应对短缺。

需求端持续强劲，铠侠预计AI数据中心对NAND存储的需求年增速约20%，并计划在五年内将其北上和四日市工厂的存储产能提高一倍。此轮复苏由AI基础设施投资与传统服务器更换周期共同推动，市场供需失衡预计将持续未来数季。

英特尔CPU国际市场涨幅最高达20%，中阶Core i5与i3成调价重点

英特尔计划对其第12至14代处理器进行价格调整，其中国际市场涨幅显著，部分型号涨幅高达20%。具体数据显示，在韩国市场，Core i3-14100F价格上涨15%，Core i5-14600KF与i5-12400F分别上涨13%和11%。日本市场中，Core i5-14400大幅上涨20%，i5-14400F上涨11%。相对而言，高阶的Core i7与i9系列价格波动较小，涨幅约为5%。

此次调价被视为英特尔提升利润率的策略之一。由于新一代Arrow Lake处理器市场接受度有限，公司转而针对由成熟Intel 7节点生产的旧世代中端处理器进行提价，这些核心销售产品的价格调升预计将为公司带来更直接的收益。

2025年Q4 MLCC市场两极化加剧，高端需求逆势增长

据TrendForce最新报告，2025年第四季度全球MLCC市场面临高度不确定性，部分手机品牌订单出现12%至15%的季减幅，笔电需求亦减少8%至10%，供应链对年末消费需求持保守态度。

市场供给呈现显著两极化：AI服务器与苹果新机需求带动高容值规格产品急单不断，村田、太阳诱电及三星等大厂出货稳健。其中村田9月MLCC出货总量突破1,400亿颗，创历史新高；iPhone 17系列出货亮眼，推动相关供应商10月加单，月增幅达5%，但仍难以完全抵消整体市场需求下滑。

相比之下，其他厂商因应手机与笔电需求疲软而备货谨慎，接单出货比明显下滑。报告预估，除高端MLCC营收维持稳健增长外，消费规格MLCC订单前景难以逆势反弹，2026年第一季度产业仍将面临库存与产能调节压力。

基美钽电容年内二次涨价，AI需求推动涨幅高达30%

国巨集团旗下基美宣布自11月1日起启动年内第二轮调价，钽电容涨幅达20%-30%，覆盖T520、T521及T530系列大尺寸高压聚合物产品。本轮涨价范围由代理商扩展至直销客户，主要面向数据中心、AI服务器及高频电源等高端领域。

钽电容上半年占国巨营收22%，此次大幅调价预计显著提升其盈利。目前AI应用已占国巨整体营收5%-10%，AI领域B/B值达1.2-1.3，需求动能持续强劲。凭借基美全球逾40%的市占率，国巨持续受益于AI带动的元件升级趋势。

原厂快讯

市场需求疲软，低压MOSFET交期延长至26周

意法半导体（ST）本月整体需求疲软，现货市场仅电源管理IC、EEPROM存储芯片及特定替代型号需求相对集中；通用MCU与车规级芯片需求持续低迷。在交期方面，低压MOSFET的交期已延长至13-26周，而二极管、晶体管及32位MCU的交期则稳定在12-16周。

Renesas

需求整体低迷，但车载电源管理芯片ISL3XX/ISL8XX系列仍短缺

瑞萨（Renesas）本月市场需求疲软，主要集中在工控与汽车领域的停产及冷门型号，如RSFX/HD64xx系列。尽管原厂交期普遍缓解，但因交期与产能问题，车载电源管理芯片ISL3XX/ISL8XX等型号供应仍然紧张。

产品价格普遍上调，建议为逻辑芯片提前备货

受多重因素影响，德州仪器（TI）产品价格在10月份整体上调。市场焦点集中在SN74逻辑芯片上，其因可作为替代品而现货流动加快、价格明显上涨。尽管随着艾睿电子从BIS清单中移除并恢复供货，TI市场的整体波动预计将趋于平稳，但其逻辑芯片的库存消耗速度依然很快。建议客户为未来约两个月的生产需求提前做好备货计划。

ADI

预计本季度毛利率达70%，加码10亿美元工厂扩产

2025年9月底，ADI宣布任命前英特尔高级封装总监Narahari Ramanuja执掌其刚完成10亿美元扩建的比弗顿工厂，以强化管理并支持几乎翻倍的内部产能。此举是其构建“混合制造”模式及增强供应链韧性的一部分，同期公司也宣布了在爱尔兰的投资计划。在市场方面，ADI的工业业务已成为增长引擎，尽管汽车业务存在短期调整，公司仍预计2025年将创下纪录，并信心十足地预测本季度毛利率可达70%。

Broadcom

以太网芯片需求强劲但长期短缺，价格持续高涨

在AI浪潮推动下，博通（Broadcom）作为数据中心核心供应商，其以太网芯片在现货市场需求极为强劲，导致价格持续高涨且长期面临短缺。同时，博通的半导体业务也面临着较多的订单积压，凸显了市场供需的持续紧张。

Microchip

多款MCU交期延长至30周，汽车与工业领域供应持续紧张

Microchip部分型号产品供应持续面临挑战，其中ATMEGA AVR和PIC18F系列微控制器的交货周期已延长至20至30周，主要受工业自动化与物联网需求激增驱动。在汽车领域，尽管整体短缺缓解，但高端车型及电动汽车因其ADAS、信息娱乐等系统对芯片的高需求，供应困境依然存在，部分车企仍在被迫削减功能配置以达成生产目标。

onsemi

持续面临订单压力，汽车与工业领域需求疲软

当前半导体、功率及汽车芯片整体需求疲软，安森美半导体（onsemi）在此市场环境下持续面临订单压力，尤其在汽车与工业应用领域。

Infineon

AI服务器电源成新增长极，汽车领域押注8英寸SiC技术

英飞凌（Infineon）近期市场表现呈现短期承压与长期增长并存的态势。在AI服务器电源领域，公司利用其硅、碳化硅和氮化镓全系列功率半导体技术，与英伟达等伙伴合作开发下一代电源架构，该业务已成为关键增长引擎。汽车自动化方面，英飞凌正重点押注碳化硅技术，并已开始向客户提供基于8英寸晶圆的产品。同时，市场对TDA21472、IR3889等服务器稳压芯片的需求持续旺盛。

NXP

发布集成TSN交换机新品，传统产品交期延长

恩智浦（NXP）整体市场需求表现平淡，部分传统产品交期呈现延长趋势。当前业务机会主要集中在成本优化需求领域。公司近期推出新品i.MX RT1180跨界MCU，这是业界首款集成千兆时间敏感网络交换机和EtherCAT从控制器的处理器。同时，其Trimension超宽带技术已成功应用于Jedsy X医疗配送无人机，展现了在新兴应用领域的布局。

Xilinx

中低端FPGA需求升温，高端AI加速方案性能提升20%

灵思（Xilinx）本月市场呈现明确的两极化特点。在中低端市场，Spartan-7与Artix-7等FPGA因嵌入式与物联网终端需求增长而显著回暖，成为热门的性价比替代方案。在高端市场，Versal AI Core系列则持续渗透，在北美数据中心占据主导地位，其AI推理固件优化后更实现了20%的性能提升，进一步强化了公司在AI加速领域的领导地位。

现货行情

Memory市场动态

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